欧姆接触

在完成选择性氧化制程后，通常会将蚀刻后残留在磊晶片表面继续作为氧化制程保护层的SiO2或SiNx以RIE蚀刻去除，然后再将样品放入PECVD重新成长SiO2或SiNx表面披覆层（surface passivation）以保护元件不受外界环...